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问答精选

NCP4306 高能效同步整流控制器

  • Q:NCP4306能驱动多少GS电压的mos?
  • A: Vgs-Min = 3.5V
  • Q:SR开关断的阈值是怎么确定的?是定值还是自适应的?
  • A: 其上下限為0V至-1mV,規格書中有定義此項目"Turn Off CS Threshold Voltage "
  • Q:NCP4306有几种封装类型?
  • A: 2 Packages, SOT23-6 and SO-8
  • Q:NCP4306有几种封装类型?
  • A: 目前推出兩種包裝, SOIC8 ,TSOP6
  • Q:NCP4306适用于连续导通模式(CCM)吗?
  • A: NCP4306的關閉延遲時間儘13ns,固能夠安全的工作在CCM
  • Q:CCM / DCM / QR工作方式是不是都可以使用?
  • A: NCP4306的關閉延遲時間儘13ns,固能夠安全的工作在CCM。DCM/QR也是一樣沒問題
  • Q:工作在什么模式?CCM、DCM、CRM模式?
  • A: NCP4306的關閉延遲時間儘13ns,固能夠安全的工作在CCM。DCM/QR也是一樣沒問題
  • Q:ON 和 FARICHILD 每年都推1或2到3颗新的SR. 为什么这么快,这颗和你们SR系列其他产品有推荐不同的应用场景建议吗?
  • A: NCP4306 針對 adapter USD PD 的應用和小包裝TSOP6推出新一代SR, 以符合客戶應用需求
  • Q:搭配CCM / DCM / QR工作的反激/正向拓朴时,需要注意哪些问题?
  • A: 盡量縮短CS pin到SR MOSFET Drain的佈線長度
  • Q:NCP4306最高可工作在多少V?
  • A: CS pin耐壓達200V, VCC工作電壓範圍4V~35V
  • Q:3.3V输出的时候是不是需要另一个单独绕组来提供工作电压?
  • A: VCC工作電壓範圍4V~35V,3.3V 輸出電壓的應用必須要有輔助繞組來供電
  • Q:NCP4306的工作电压范围?
  • A: CS pin耐壓達200V, VCC工作電壓範圍4V~35V
  • Q:NCP4306 有相关详细的文档说明下载吗?
  • A: http://www.onsemi.com/PowerSolutions/product.do?id=NCP4306
  • Q:NCP4306它的反应时间是多久?
  • A: NCP4306關閉延遲時間為13ns,固可以安全的工作在CCM/QR/DCM
  • Q:NCP4306的应用场景有哪些?有什么优势?
  • A: 應用:flyback, forward (free-wheeling rectifier), LLC 偵測drain 的電壓可以上達 200 V Vcc電壓可以到 35 V 精準的零電流偵測 Minimum on time 可調整(可依變壓器及layout的不同來設計) Minimum off time 可調整(可依變壓器及layout的不同來設計),另外有Ringing Detection來輔助幫忙turn on. LLD (light load detection)可用來偵測低負載,若確定是低負載(LLD),先降低Vgs來減少switching losses,若負載繼續降低,IC進入省電模式(Icc 大約 50 uA)
  • Q:NCP4306工作电压范围是多少?
  • A: Vdd 3.5 ~ 35 V
  • Q:为什么具有15ns的反应时间?
  • A: NCP4306關閉延遲時間為13ns,固可以安全的工作在CCM/QR/DCM 這代表CS偵測到該關閉的信號時,DRV會在13ns以內開始往下拉
  • Q:SR开关断的阈值是怎么确定的
  • A: Determined by the Vds, 0mV - 1mV threhold to turn off the MOSFETs precisely
  • Q:NCP4306工作电压范围是好多?
  • A: Vcc可到35 V 偵測drain of SR MOSFET的pin可到200 V
  • Q:NCP4306是什么样的拓扑结构?控制方式?
  • A: flyback (DCM, QR or CCM), forward (free-wheeling rectifier), LLC
  • Q:VDD 工作电压范围是多少?
  • A: Vdd fm 3.5V to 35V
  • Q:NCP4306可以跟随主控工作在多少频率?
  • A: Fsw_max up to 1MHz
  • Q:NCP4306 高能效同步整流控制器产品封装形式?尺寸?
  • A: 目前推出兩種包裝, SOIC8 ,TSOP6
  • Q:内部是否集成MOSFET驱动器?
  • A: 是包括驅動driver, source 2A, sink 7A,
  • Q:NCP4306工作频率最高可以达到多少?
  • A: Up to 1MHz
  • Q:NCP4306支持最大频率是多少?
  • A: 1MHz
  • Q:同步整流控制器最大的电源效率是好多?
  • A: 基本上是用SR MOSFET的低Rds(on)來降低負邊二級管的導通損,前者導通損是I^2*Rds(on),後者是I*Vf. 所以效率提升的差距可由此算出,但整個電源的效率還是控制在其他基本的元素上(變壓器,佈線等)
  • Q:同步整流解决方案有哪些?在哪里可以下载?
  • A: http://www.onsemi.com/PowerSolutions/product.do?id=NCP4306
  • Q:CCM和DCM可以随意切换吗?会自动识别工作模式?
  • A: 可隨意
  • Q:同步整流技术的优势有哪些?
  • A: 基本上是用SR MOSFET的低Rds(on)來降低負邊二級管的導通損,前者導通損是I^2*Rds(on),後者是I*Vf.所以效率提升的差距可由此算出,但整個電源的效率還是控制在其他基本的元素上(變壓器,佈線等)
  • Q:NCP4306待机功耗为多少?
  • A: LLD (light load detection)可用來偵測低負載,若確定是低負載(LLD),先降低Vgs來減少switching losses,若負載繼續降低,IC進入省電模式(Icc 大約 50 uA)
  • Q:工作频率如何?
  • A: 支持最高頻率到1MHz
  • Q:NCP4306具有哪些封装?是否适合小型化
  • A: SOT23-6, SO-8
  • Q:NCP4306具备15ns快速反应时间对EMI方面影响怎么?
  • A: NCP4306關閉延遲時間為13ns,這代表CS偵測到該關閉的信號時,DRV會在13ns以內開始往下拉 DRV下拉的速度最快可以到7A(Vgs=15V),但若有EMI issue也可以串聯電阻減弱關閉速度。 但因為開關截止後,還有並聯的body diode可以導通電流,故沒有電流瞬斷的問題,一般來說並不需特別加入EMI對策
  • Q:NCP4306和NCP3063相比较的话,哪个性能更好一点呢?
  • A: NCP3063是step down regulator, NCP4306是SR controller,
  • Q:NCP4306的工作温度为多少?
  • A: Tj, -40oC ~ +150oC
  • Q:工作电压最高可以达到多少?
  • A: CS pin耐壓達200V, VCC工作電壓範圍4V~35V
  • Q:15ns快速反应时间是怎么做到的?
  • A: 這是使用安森美獨有的專利線路
  • Q:15ns快速反应时间是怎么做到的?
  • A: 這是使用安森美獨有的專利線路
  • Q:NCP4306是集成MOS在里面吗?
  • A: 沒有集成Mos, NCP4306單獨是 SR controller
  • Q:对于emc如何对应
  • A: NCP4306關閉延遲時間為13ns,這代表CS偵測到該關閉的信號時,DRV會在13ns以內開始往下拉 DRV下拉的速度最快可以到7A(Vgs=15V),但若有EMI issue也可以串聯電阻減弱關閉速度。 但因為開關截止後,還有並聯的body diode可以導通電流,故沒有電流瞬斷的問題,一般來說並不需特別加入EMI對策
  • Q:快速反应受哪些因素的影响吗?旁路电容去杂波,会导致速度变慢吗?
  • A: 受佈線及雜散電感影響比較大
  • Q:极精简的轻载检测(Light Load Detection)功能是什么
  • A: 利用一個外接電阻(SOIC8)或內部參數(TSOP6)來決定。 簡單來說是偵測skip mode的休息周期來決定進入節能模式的時間點
  • Q:NCP4306相比于NCP4305,有哪些改进?
  • A: NCP4306 enhancement Low UVLO with dV/dt detector for USB/PD or QC3 application, improved and easier LLD setting, tiny package,
  • Q:能否做DC TO DC隔离方案?
  • A: NCP4306是在同步整流專用IC,請搜尋ONsemi 的DC/DC專用電源管理IC
  • Q:NCP4306最大的工作频率是多少?
  • A: IC本身可以到1MHz 但電源供應器的操作頻率還是受到拓譜的限制(譬如說300 kHz for QR)
  • Q:主要有哪几种工作模式呢?
  • A: NCP4306關閉延遲時間為13ns,固可以安全的工作在CCM/QR/DCM
  • Q:NCP4306提供什么封装支持
  • A: SO8 TSOP6
  • Q:对比其他NCP4306成本是否有优势
  • A: NCP4306 提供小封裝 TSOP6, 可減少PCB的空間, 進而減低系統成本.
  • Q:NCP4306支持哪几种封装?
  • A: SO8 TSOP6
  • Q:有没有DEMO板提供测试?
  • A: 請跟代理商聯絡
  • Q:有哪些专利技术?
  • A: 請恕無法奉告
  • Q:有哪些专利技术?
  • A: 請恕無法奉告
  • Q:能否有提供样片的?在哪里可以申请?现在网上都搜不到资料。
  • A: 請跟代理商聯絡
  • Q:NCP4306工作频率是多少?共模抑制比怎么样?
  • A: 最多可支援到1MHz操作 共模抑制比和佈線方式較有相關,NCP4306不太會產生影響
  • Q:这个芯片适合的工作领域有哪些个
  • A: DCM Flyback, QR Flyback, CCM Flyback, Active Clamp Flyback, LLC
  • Q:轻载时怎么提高效率的?》
  • A: LLD (light load detection)可用來偵測低負載,若確定是低負載(LLD),先降低Vgs來減少switching losses,若負載繼續降低,IC進入省電模式(Icc 大約 50 uA)
  • Q:NCP4306的关断时间最小可以达到多少?
  • A: NCP4306關閉延遲時間為13ns,這代表CS偵測到該關閉的信號時,DRV會在13ns以內開始往下拉
  • Q:工作环境有什么要求?
  • A: Tj -40C ~ 125C
  • Q:NCP4306搭配CCM / DCM / QR工作的反激/正向拓朴,相比于其他芯片有哪些优势?
  • A: Very Strong Drive Capability 2A/7A Precise True Secondary Zero Current Detection Typically 15 ns Turn off Delay from Current Sense Input to Driver Ultrafast Turn-off Trigger Interface/Disable Input (7.5 ns) Maximum Operation Frequency up to 1 MHz
  • Q:如何最大化整流管工作时间?
  • A: 降低迴路上的雜散電感+選用SR MOSFET是SMD包裝的 (寄生電感較小)
  • Q:纹波等性能指标怎么样?
  • A: 這和源編電源控制器比較有相關
  • Q:NCP4306适用电压范围是多少?
  • A: CS pin耐壓達200V, VCC工作電壓範圍4V~35V 。 若輸出電壓低於4V,則需要用輔助繞組來供電
  • Q:好像没有直插的封装
  • A: No, Only SOT23-6 & SO-8
  • Q:工作频率范围是?
  • A: 最高支持到 1MHz
  • Q:NCP4306可以使用在哪些产品上面
  • A: Flyback CCM/QR/DCM 和LLC拓普
  • Q:点空比可以做到多大?最大功率可以做到多少
  • A: 占空比是取決於電源拓譜, NCP4306本身幾乎沒有限制,除了可調整的min on time 及min off time會有一些影響,但因為這兩個燦數可以調整到最低(50 ns and 70 ns),可忽略不計
  • Q:同步整流和二极管的最大的区别?
  • A: 基本上是用SR MOSFET的低Rds(on)來降低負邊二級管的導通損,前者導通損是I^2*Rds(on),後者是I*Vf.
  • Q:支持CCM、DCM和准谐振操作吗?
  • A: Yes, U are right
  • Q:4306快速断开总延迟时间一般为多少?
  • A: 7.5ns
  • Q:样片如何申请?
  • A: 請連繫安森美和代理商, http://www.onsemi.com/PowerSolutions/globalLocations.do
  • Q:IC的驱动能力有多大,最大可以推动什么规格的MOS管
  • A: 驅動和截止能力為 2A/-7A
  • Q:这个4306输出驱动功率多大了?
  • A: 7 A / 2 A Peak Current Sink / Source Drive Capability
  • Q:驱动电流可以达到多少?驱动电压多少V?
  • A: 2A source, 7A sink 內部有驅動電壓箝制的功能,有兩種版本,10 V and 5 V.
  • Q:可以申请样片吗?
  • A: 請連繫安森美或安森美代理商 http://www.onsemi.com/PowerSolutions/globalLocations.do
  • Q:最大工作频率是多少
  • A: Fsw_max = 1MHz
  • Q:对于EMC防护这一块有什么独特的优势
  • A: NCP4306關閉延遲時間為13ns,這代表CS偵測到該關閉的信號時,DRV會在13ns以內開始往下拉 DRV下拉的速度最快可以到7A(Vgs=15V),但若有EMI issue也可以串聯電阻減弱關閉速度。 但因為開關截止後,還有並聯的body diode可以導通電流,故沒有電流瞬斷的問題,一般來說並不需特別加入EMI對策
  • Q:NCP4306工作的环境温度范围要求是多少?
  • A: Tj -40C ~ 125C
  • Q:NCP4306的LLC应用效率能做到多少
  • A: PFC 1654 + NCP1399 + NCP4306, 300Khz Fs, 150W Output 19V, Efficiency = 96% @ Full Load
  • Q:时间刚刚好
  • A: 如果您指的是15ns的關斷時間延遲,那的確是設計的剛剛好。 感謝您的稱讚!
  • Q:NCP4306怎么检测控制信号?
  • A: 偵測CS引腳的信號判斷SR電流為0的時間點,然後快速關閉SR MOSFET(13ns的關閉時間延遲)
  • Q:如何防止过热导致芯片饱和,自动关闭
  • A: NCP4306 Tj最高150 degree C,而它並不是主要發熱源(它只是控制器而已),所以應以確保其他附近零件在適當溫度以下即可
  • Q:这款芯片有没doem板,以前没怎么用过同步整流,想测试验证一下。
  • A: 請連繫安森美或安森美代理商 http://www.onsemi.com/PowerSolutions/globalLocations.do
  • Q:NCP4306芯片可以用在哪些领域中呢?
  • A: DCM Flyback, QR Flyback, CCM Flyback, Active Clamp Flyback, LLC
  • Q:请问LLC式谐振变换器理论上效率能达到多少?而实际上又是能达到多少?
  • A: 此主題並非是LLC
  • Q:咱这个是AC DC相关的芯片吗
  • A: 這是搭配AC/DC應用的副邊同步整流控制芯片
  • Q:这款芯片可以做到的最大功率是多少?
  • A: driver source 2A, sink 7A,
  • Q:相比于其他整流器的特色和优势?
  • A: 偵測drain 的電壓可以上達 200 V Vcc電壓可以到 35 V 精準的零電流偵測 Minimum on time 可調整(可依變壓器及layout的不同來設計) Minimum off time 可調整(可依變壓器及layout的不同來設計),另外有Ringing Detection來輔助幫忙turn on. LLD (light load detection)可用來偵測低負載,若確定是低負載(LLD),先降低Vgs來減少switching losses,若負載繼續降低,IC進入省電模式(Icc 大約 50 uA)
  • Q:电压适用范围多少呢?
  • A: CS pin耐壓達200V, VCC工作電壓範圍4V~35V
  • Q:电压适用范围多少呢?
  • A: CS pin耐壓達200V, VCC工作電壓範圍4V~35V
  • Q:ncp4305A做的反激10W 5V 10A,可以用这颗ncp4306吧?另外,同步整流的整流和续流MOS,还需要并接肖特基二极管吗?
  • A: Yes, U can use NCP4306 for 5V/10A Flyback No Need to add extra Schottky Diode
  • Q:NCP4306工作电压4V,是不是有配套的5V转4V的LDO? 再就是他的最大负载电容容量是多大
  • A: IC內部會由Vcc降壓來使用,此電壓為內部使用,並沒有外接pin
  • Q:NCP4306的驱动钳位电压是多大?
  • A: 依系列型號設定, 可分為 10V 或 5V
  • Q:可以使用那些拓扑
  • A: DCM Flyback, QR Flyback, CCM Flyback, LLC, and Active Clamp Flyback
  • Q:斜率侦测是什么新技术?》
  • A: The NCP4306 is designed to fix this limitation by adding a dV/dt detection on the drain of SR MOSFET. With this setup, it is easier to design the minimum off timer by following method. The minimum off timer is set be longer than the period of ringing after transformer finishes demagnetizing. When the Vout is 5 V and the primary MOSFET turns on with short duration, which is shorter than the minimum off time of NCP4306, the dV/dt detection function will still turn on the SR MOSFET without problem.
  • Q:功耗做到多少了?
  • A: LLD (light load detection)可用來偵測低負載,若確定是低負載(LLD),先降低Vgs來減少switching losses,若負載繼續降低,IC進入省電模式(Icc 大約 50 uA),這代表NCP4306並不會明顯增加負載功耗
  • Q:最大效率是多少
  • A: 基本上是用SR MOSFET的低Rds(on)來降低負邊二級管的導通損,前者導通損是I^2*Rds(on),後者是I*Vf. 所以效率提升的差距可由此算出,但整個電源的效率還是控制在其他基本的元素上(變壓器,佈線等)
  • Q:同步整流和二极管的最大的区别?
  • A: SR - reduce the conduction loss as Very Low Rds_on MOSFET in Low Voltage Output Application.
  • Q:NCP4306 可正常工作的最高开关频率是多大?
  • A: 最多可支援到1MHz操作
  • Q:内部能做到多少A
  • A: 請再次說明您想問的問題
  • Q:LLC拓扑之三种工作模式皆可支持吗
  • A: Yes
  • Q:15ns快速反应时间 在实际应用中有何实际意义?
  • A: NCP4306關閉延遲時間為13ns,固可以安全的工作在CCM/QR/DCM 這代表CS偵測到該關閉的信號時,DRV會在13ns以內開始往下拉
  • Q:可以使用那些拓扑
  • A: CCM, DCM and QR for flyback or LLC application.
  • Q:输入输出范围多少
  • A: 這跟電源的拓譜有關(e.g.flyback, forward, or LLC)
  • Q:NCP4306工作电压范围是多少?工作温度呢?
  • A: CS pin耐壓達200V, VCC工作電壓範圍4V~35V 工作溫度範圍 -40oC ~ 125oC
  • Q:什么技术能使NCP4306供电电压降低至4V?
  • A: 這屬內部技術資料,對應用並不影響,恕無法奉告
  • Q:NCP4306输出电流能达到多大?
  • A: driver capability source 2A, sink 7A,
  • Q:上臂Mosfet和下臂Mosfet的死去时间是怎么调节的
  • A: 如果是flyback SR應用,應該不會出現上臂和下臂 請再次說明您的問題
  • Q:4306是如何来确定 SR MOSFET 的关闭转换的?
  • A: 偵測CS引腳的信號判斷SR電流為0的時間點,然後快速關閉SR MOSFET(13ns的關閉時間延遲)
  • Q:NCP4306输出电流能做多大?
  • A: IC的DRV pin有2A source, 7 A sink的能力 若您問的是電源供應器的輸出,那主要取決於電源供應器,SR MOSFET及佈線
  • Q:如何最大化整流管工作时间?
  • A: 降低迴路上的雜散電感+選用SR MOSFET是SMD包裝的 (寄生電感較小)
  • Q:NCP4306主要应用在哪些领域?
  • A: Notebook adapter, AC/DC power supply, All SMPS 需要更好的整流效率
  • Q:待机功耗可以降低到多少?效率怎么样?
  • A: LLD (light load detection)可用來偵測低負載,若確定是低負載(LLD),先降低Vgs來減少switching losses,若負載繼續降低,IC進入省電模式(Icc 大約 50 uA)
  • Q:如何最大化整流管工作时间?
  • A: CS引腳偵測關閉電流時間的筏值 -1mV~0V,固控制器以經幫使用者最大化整流管的工作時間
  • Q:NCP4306 对LLC轻载性能有什么提升?
  • A: LLD (light load detection)可用來偵測低負載,若確定是低負載(LLD),先降低Vgs來減少switching losses,若負載繼續降低,IC進入省電模式(Icc 大約 50 uA),這代表NCP4306並不會明顯增加負載功耗
  • Q:同步整流器如何实现高效能的呢?
  • A: 基本上是用SR MOSFET的低Rds(on)來降低負邊二級管的導通損,前者導通損是I^2*Rds(on),後者是I*Vf.
  • Q:NCP4306正常工作电压范围是多少?驱动能力怎么样?
  • A: 最多可支援到1MHz操作 驅動/截止能力 2A/-7A
  • Q:NCP4306工作频率是多少?
  • A: 最多可支援到1MHz操作
  • Q:这款芯片的应用前景怎么样?是否可以大面积推广使用?
  • A: CCM, DCM and QR for flyback or LLC application, 符合大面積應用.
  • Q:同步整流器能提高多少电源效率?
  • A: 基本上是用SR MOSFET的低Rds(on)來降低負邊二級管的導通損,前者導通損是I^2*Rds(on),後者是I*Vf. 所以效率提升的差距可由此算出,但整個電源的效率還是控制在其他基本的元素上(變壓器,佈線等)
  • Q:NCP4306 在设计上需要注意哪些细节呢?
  • A: 1. 降低迴路上的雜散電感+選用SR MOSFET是SMD包裝的 (寄生電感較小) ==> 可加長DRV on time時間 2. min on time須大於SR MOSFET導通後,Vdrain上spike的時間 3. min off time須大於變壓器放完能量後,變壓器本身ring的週期
  • Q:QR的原理是通过测量流过整流MOSFET body diode的电压吗?如果是,请问精度是多少?
  • A: CS引腳會偵測MOSFET Drain to Source電壓,NCP4306 DRV關斷的基準是 CS引腳電壓為-1mV ~ 0V
  • Q:NCP4306怎么实现精确的侦测准位的?采用了什么算法?可以增加多少系统能效
  • A: 它不是用算的,而是用即時偵測drain電壓,並提高內部比較器的參考電壓精準度與速度
  • Q:请问最高支持多少W功率?频率高达多少?
  • A: driver capability source 2A, sink 7A, 最高支持到 1MHz
  • Q:有集成MOSFET呢???如果有的话多少电压?
  • A: 沒有
  • Q:NCP4306如何实现精确的侦测准位的?
  • A: CS引腳會偵測MOSFET Drain to Source電壓,NCP4306 DRV關斷的基準是 CS引腳電壓為-1mV ~ 0V 其是利用安森美的專利技術
  • Q:CCM / DCM / QR工作方式是不是都可以使用?
  • A: 是的, for CCM, DCM and QR for flyback or LLC application.
  • Q:CCM / DCM / QR工作方式是不是都可以使用?
  • A: 是的, for CCM, DCM and QR for flyback or LLC application.
  • Q:什么是斜率侦测触发功能?
  • A: CS引腳偵測MOSFET Drain to Source的電壓下降速度,當速度夠快時導通同步整流晶體管
  • Q:NCP4306 的快速反应表现在哪些方面?有哪些技术优势?
  • A: NCP4306關閉延遲時間為13ns,固可以安全的工作在CCM/QR/DCM 這代表CS偵測到該關閉的信號時,DRV會在13ns以內開始往下拉
  • Q:NCP4306自身功耗是多少?
  • A: 若不含SR MOSFET驅動損失, IC內部的工作電流約1.8 mA (當操作在100 kHz). 當進入輕載模式(LLD),IC會降到約50 uA
  • Q:同步整流控制器NCP4306工作时是否会产生发热?能够适应工作温度是多少?
  • A: Max Tj = 150 degree C
  • Q:你们的比较里提到 turn on delay 比其他家更好,是30ns。 那如果进一步缩短会有问题吗? 比如说也缩短到13ns, 那不是效率更高吗
  • A: 盡量縮短turn on delay是我們努力的目標,目前已經努力到30ns,未來還會開發延遲時間更短的芯片
  • Q:NCP4306在电源设计中对EMC需要重点考虑那块?
  • A: 減少電流及電壓的佈線面積
  • Q:NCP4306如何进行斜率侦测呢?斜率侦测有什么用处呢
  • A: CS引腳偵測MOSFET Drain to Source的電壓下降速度,當速度夠快時導通同步整流晶體管 此技術可以用來決定正確導通同步整流晶體管的時機
  • Q:资料里LLC应用中,双控制器运行,相互之间的导通时间和关闭时间并不完全相同,会不会引起输出直流上有杂波?
  • A: 同步整流的功能不會改變電流成分,固不影響輸出漣波
  • Q:CCM 操作时, NCP4306的full drive 会比 M的proportion drive 可靠性更好吗?不会有直通问题吗? 你们之前的NCP4305有在CCM的量产项目吗?
  • A: 依關斷的速度作比較, 可靠性雷同. NCP4305也可支持CCM,
  • Q:NCP4306对于ESD静电释放能达到多少KV
  • A: 2 kV for ESD HBM,除了CS pin 600 V for ESD HBM at CS pin 200 V for ESD MM
  • Q:工作电压4v到多少V
  • A: VCC工作電壓範圍4V~35V
  • Q:同步整流晶体管需要用什么电路推动?
  • A: NCP4306可直接驅動MosFET
  • Q:NCP4306能推动多大的功率管
  • A: driver capability source 2A, sink 7A,
  • Q:NCP4306具备15ns快速反应时间对EMI方面影响怎么?
  • A: NCP4306關閉延遲時間為13ns,這代表CS偵測到該關閉的信號時,DRV會在13ns以內開始往下拉 DRV下拉的速度最快可以到7A(Vgs=15V),但若有EMI issue也可以串聯電阻減弱關閉速度。 但因為開關截止後,還有並聯的body diode可以導通電流,故沒有電流瞬斷的問題,一般來說並不需特別加入EMI對策
  • Q:NCP4306对后端的mos有什么特别要求,怎么选配最优?
  • A: 一般來說沒特別要求 但選用SMD MOSFET能保有較低寄生電感的特性,能稍微加大晶體管的工作時間,稍微提升效率
  • Q:可否通过电阻分压的形式单独给IC供电,用于54V的电源同步整流?
  • A: 同步整流控制器消耗劉uA ~ mA,不容易用電組分壓的形式供電 建議使用LDO或輔助繞組
  • Q:如何有效避免由于电容电流尖峰误触发SR?
  • A: 如果可以的話,請再詳細說明您的問題
  • Q:相比同类,优点有哪些
  • A: NCP4306提供, 最高的sensing voltage upto 200V, 最速關斷的turn off delay,
  • Q:相比同类,优点有哪些
  • A: NCP4306提供, 最高的sensing voltage upto 200V, 最速關斷的turn off delay,
  • Q:NCP4306是如何进行不同模式的识别的呢?又是怎么样进行不同工作模式之间进行切换?
  • A: 單純偵測drain 電壓來決定導通時間,而非預測型 NCP4306偵測到drain電壓到零時,並會關閉DRV, 在QR及DCM,這是很直接的控制方式。當工作在CCM時,如果源邊的MOSFET導通,變壓器開始轉向,此時SR MOSFET 的drain電壓會由負轉正,藉由NCP4306高速的反應可以馬上關掉SR MOSFET,這個方式會有些微的shoot through, 我們實驗發現些微的shoot through可以產生active snubber的共效,進而降低drain 上的 spike,並降低EMI.
  • Q:3.3V输出的时候是不是需要另一个单独绕组来提供工作电压
  • A: CS pin耐壓達200V, VCC工作電壓範圍4V~35V 。 若輸出電壓低於4V,則需要用輔助繞組來供電
  • Q:15ns快速反应时间是怎么做到
  • A: 內部比較器用高速的
  • Q:效率可以做到多高?
  • A: 基本上是用SR MOSFET的低Rds(on)來降低負邊二級管的導通損,前者導通損是I^2*Rds(on),後者是I*Vf. 所以效率提升的差距可由此算出,但整個電源的效率還是控制在其他基本的元素上(變壓器,佈線等)
  • Q:用于AC-DC最大可以做到多大功率?整体效率可以提高多少?稳定性好吗?
  • A: 基本上是用SR MOSFET的低Rds(on)來降低負邊二級管的導通損,前者導通損是I^2*Rds(on),後者是I*Vf. 所以效率提升的差距可由此算出,但整個電源的效率還是控制在其他基本的元素上(變壓器,佈線等) 穩定性取決於layout及 MOSFET 的選用, 建議降低迴路上的雜散電感+選用SR MOSFET是SMD包裝的 (寄生電感較小)
  • Q:同步整流技术的优势有哪些
  • A: 基本上是用SR MOSFET的低Rds(on)來降低負邊二級管的導通損,前者導通損是I^2*Rds(on),後者是I*Vf. 所以效率提升的差距可由此算出,但整個電源的效率還是控制在其他基本的元素上(變壓器,佈線等)
  • Q:搭配CCM / DCM / QR工作的反激/正向拓朴时,需要注意哪些问题
  • A: 請參酌應用手冊 http://www.onsemi.com/PowerSolutions/product.do?id=NCP4306
  • Q:NCP4306的应用场景有哪些?
  • A: 應用:flyback, forward (free-wheeling rectifier), LLC
  • Q:一般可以检测到几个SR MOSFET两端的漏源电压?
  • A: SR MOSFET並聯使用的話沒有影響 CS引腳關斷DRV的偵測電壓為 -1mV~0V
  • Q:mos开启关闭时间多少?
  • A: NCP4306關閉延遲時間為13ns,固可以安全的工作在CCM/QR/DCM 這代表CS偵測到該關閉的信號時,DRV會在13ns以內開始往下拉
  • Q:NCP4306适用于哪些拓扑
  • A: DCM, QR, CCM Flyback; Active Clamp Flyback and LLC
  • Q:NCP4306支持的最大电流是否与NCP4305一样?支持的最大频率是多少?
  • A: 驅動電流略小 1MHz
  • Q:驱动电路输出电压需要设置多大才可以驱动所有商标的MOSFET?
  • A: 對MOSFET來說,10V的驅動電壓是合適的
  • Q:NCP4306全部兼容CCM、DCM、QR吗?还是分别不同的后缀兼容不同工作模式?
  • A: 依不同后綴給 flyback 或 LLC應用
  • Q:这个IC能否自定义死区时间?
  • A: NCP4306關閉延遲時間為13ns,固可以安全的工作在CCM/QR/DCM 這代表CS偵測到該關閉的信號時,DRV會在13ns以內開始往下拉
  • Q:NCP4306适用于连续导通模式(CCM)吗
  • A: Yes
  • Q:NCP4306的几个版本之间的区别及选择方法
  • A: 根據拓譜及有哪些參數是您比較想外部可調的
  • Q:NCP4306最大的工作频率是多少
  • A: Fsw = 1MHz
  • Q:NCP4306应用在LLC拓扑的副边时,如何在轻载时有效抑制电流尖峰。
  • A: 同步整流晶體管並聯body diode,並無法抑制尖峰電流
  • Q:NCP4306的工作电压范围?
  • A: Vcc(on) = 3.5V ~ 35V
  • Q:NCP4306的关断时间最小可以达到多少
  • A: 70 ns
  • Q:NCP4306的死区时间可以达到多少?
  • A: NCP4306關閉延遲時間為13ns,固可以安全的工作在CCM/QR/DCM 這代表CS偵測到該關閉的信號時,DRV會在13ns以內開始往下拉 因此可以達到非常小的死區時間
  • Q:同步整流,怎么判断及避免共通问题?
  • A: CS引腳會偵測MOSFET Drain to Source電壓,NCP4306 DRV關斷的基準是 CS引腳電壓為-1mV ~ 0V 在電流為0A之前關閉同步整流晶體管,固能避免共通問題
  • Q:极精简的轻载检测(Light Load Detection)功能是什么
  • A: To Disable the SR MOSFET at Light Load to improve the light load efficiency of Power Converter
  • Q:最新的NCP4306的耐高温有多高?当超过时有保护措施吗
  • A: Tj -40C ~ 125C,
  • Q:NCP4306它的反应时间是多久?
  • A: Typically 15 ns Turn off Delay from Current Sense Input to Driver
  • Q:NCP4306适用电压范围是多少?
  • A: Vdd 3.5 ~ 35 V
  • Q:NCP1340采用哪种模式控制?
  • A: Current Mode Control Quasi-Resonant Flyback
  • Q:最大可以工作多少V电源,效率可以达到多少?
  • A: Vdd 3.5 ~ 35 V
  • Q:dv/dt检测器是如何工作的?
  • A: CS引腳偵測MOSFET Drain to Source的電壓下降速度,當速度夠快時導通同步整流晶體管
  • Q:感测电压最大是多少?
  • A: CS pin耐壓達200V, VCC工作電壓範圍4V~35V
  • Q:NCP4306相比同类产品的PCB布局有哪些优势,对于EMC又有哪些措施?
  • A: 單純偵測drain 電壓來決定導通時間,而非預測型 NCP4306偵測到drain電壓到零時,並會關閉DRV, 在QR及DCM,這是很直接的控制方式。當工作在CCM時,如果源邊的MOSFET導通,變壓器開始轉向,此時SR MOSFET 的drain電壓會由負轉正,藉由NCP4306高速的反應可以馬上關掉SR MOSFET,這個方式會有些微的shoot through, 我們實驗發現些微的shoot through可以產生active snubber的共效,進而降低drain 上的 spike,並降低EMI. 輕載時不會讓SR MOSFET工作在線性區(線性區的損耗較大). 有輕載偵測功能(LDD)降低功耗
  • Q:NCP4306在4V的工作电压下,驱动的mos开启电压也是4V吗?
  • A: 是的,最大驅動電壓 <=VCC
  • Q:这颗同步整流最高能效可以做到多少?和MP6906、LN5S03哪个好。
  • A: 因為NCP4306能盡量增加工作時間,其CS引腳的關閉閥值為-1mV ~ 0V,固NCP4306的效率會優於其他競爭對手
  • Q:NCP4306是什么样的拓扑结构
  • A: CCM, DCM and QR for flyback or LLC application.
  • Q:NCP4306典型的效率能做多少?
  • A: Flyback 45W/ 19V --> Efficiency 92-93% PFC + LLC, 150W/ 19V --> Efficiency 94-96%
  • Q:我用ncp1252A做的双管正激300W 12V 25A,可以用这颗ncp4306吧?另外,同步整流的整流和续流MOS,还需要并接肖特基二极管吗?
  • A: NCP4306 could be used in SR MOSFET in the position of free-wheeling diode. As for the forward SR MOSFET, it could be driven by transformer itself directly.
  • Q:死区是如何调节的呢?
  • A: CS引腳會偵測MOSFET Drain to Source電壓,NCP4306 DRV關斷的基準是 CS引腳電壓為-1mV ~ 0V 以經把死區最小化,無須外部調節
  • Q:NCP4306 做六级能效方案如何
  • A: 可以符合六級能效.
  • Q:样片怎么申请?
  • A: Please contact the local distribution.
  • Q:样片怎么申请?
  • A: 請連繫安森美或安森美代理商 http://www.onsemi.com/PowerSolutions/globalLocations.do
  • Q:这个功率最大可以做到多少?
  • A: depends on which topology the power supply uses.
  • Q:外围零件最少需要几个?
  • A: 使用TSOP6 package,僅需兩個電阻的外部零件
  • Q:能效方面有哪些突出优点?
  • A: 滿載及中載MOSFET全開而非工作在線性區, 藉此降低導通損 輕載有LDD降低損耗
  • Q:NCP4306工作电压4V,是不是有配套的5V转4V的LDO
  • A: It is done internally
  • Q:2、NCP4306启动功耗多大?可以应用于宽输入范围的双管正激电路吗?可以应用于宽输入范围的双管正激电路吗?对启动电路有何特殊要求?
  • A: VCC工作電壓範圍4V~35V 只要符合此工作電壓,並提供數豪安電流,並無須特別設計
  • Q:NCP4306的方案能做到多大功率?是固定频率还是可调频率?
  • A: Both
  • Q:该方案的待机功耗可达多少?
  • A: Icc is around 50 nA
  • Q:NCP4306是什么样的拓扑结构?
  • A: CCM, DCM and QR for flyback or LLC application.
  • Q:相比于其他整流器的特色和优势?
  • A: 單純偵測drain 電壓來決定導通時間,而非預測型 NCP4306偵測到drain電壓到零時,並會關閉DRV, 在QR及DCM,這是很直接的控制方式。當工作在CCM時,如果源邊的MOSFET導通,變壓器開始轉向,此時SR MOSFET 的drain電壓會由負轉正,藉由NCP4306高速的反應可以馬上關掉SR MOSFET,這個方式會有些微的shoot through, 我們實驗發現些微的shoot through可以產生active snubber的共效,進而降低drain 上的 spike,並降低EMI. 輕載時不會讓SR MOSFET工作在線性區(線性區的損耗較大). 有輕載偵測功能(LDD)降低功耗
  • Q:新技术侦测功能是否会增加本身工作的损耗?
  • A: 新偵測功能不會增加工作損號,反而更先進的LLD技術,能更容易實現優化輕載效率
  • Q:NCP4306的关断时间最小可以达到多少
  • A: 70 ns
  • Q:有没有DEMO板提供测试?
  • A: please contact distribution
  • Q:应用于反激式电源时,能否支持SR控制器在高边?
  • A: 可以的,但須外加輔助繞組供電
  • Q:LLC式谐振变换器理论上效率能达到多少?而实际上又是能达到多少
  • A: This subject is for questions about NCP4306, not LLC.
  • Q:请问这个芯片可编程吗
  • A: 不對外開放此功能
  • Q:有自动的闭环PID调节么
  • A: 無須PID調節即可正常運作
  • Q:NCP4306的关断时间最小可以达到多少
  • A: 13nS
  • Q:最大可以工作多少V电源,效率可以达到多少?
  • A: CS pin耐壓達200V, VCC工作電壓範圍4V~35V 效率和變壓器與晶體管選擇比較相關
  • Q:1.使用时需要注意哪些问题 2满载时电源纹波能有多少
  • A: 同步整流能增加效率 但不會影響電源紋波
  • Q:内阻有多少,可以用mΩ计算吧。
  • A: 目前僅推出控制芯片,無晶體管
  • Q:对于EMI没有设计好或者是存在复杂干扰的场景,4306的误导通率有多少?有没有限流措施啊 ?
  • A: THere is need to optimize the layout and the choice of SR MOSFET (SMD is preferred because of low parasitic inductance). And then it is needed to fine tune the min on time and minimum off time depending on the transformer and layout. Finally, if there is still worry to shoot through, the NCP4306 has option to detect the Vdrain voltage even during the minimum on time duration. The DRV will be turned off if the Vdrain is above 1 V during minimum on time duration, which is 0 V after minimum on timer expires.
  • Q:这个控制器的待机功耗范围是?
  • A: LLD (light load detection)可用來偵測低負載,若確定是低負載(LLD),先降低Vgs來減少switching losses,若負載繼續降低,IC進入省電模式(Icc 大約 50 uA),這代表NCP4306並不會明顯增加負載功耗
  • Q:NCP4306相比于NCP4305,有哪些改进
  • A: For SOIC8 package, 4306 is pin compatible with 4305, however LLD works slightly different. 4306 is easier for LLD setting, just one resistor 4305 uses RC network at LLD pin referenced to VCC, 4306 is with dV/dt detector for USB PD 4306 is with exception timer for LLC if everything is set internally 4306 needs just VCC cap
  • Q:NCP4306对后端的mos有什么特别要求,怎么选配最优?
  • A: 一般來說沒特別要求 但選用SMD MOSFET能保有較低寄生電感的特性,能稍微加大晶體管的工作時間,稍微提升效率
  • Q:NCP4306最大的工作频率是多少
  • A: upto 1MHz
  • Q:是否还有其他可以替代NCP4306芯片功能的产品呢?
  • A: The prior art of NCP4306 is NCP4305, NCP4304 etc. But there are plenty of options of SR controller in the field. Hence, it is welcome to do the bench test and compare the result.
  • Q:我想问下这个控制芯片在低电流时是否具有二极管工作模式,另外,是否可以用于带pbias的功能,
  • A: LLD (light load detection)可用來偵測低負載,若確定是低負載(LLD),先降低Vgs來減少switching losses,若負載繼續降低,IC進入省電模式(Icc 大約 50 uA),將不會驅動晶體管
  • Q:NCP4306是什么样的拓扑结构?控制方式
  • A: CCM, DCM and QR for flyback or LLC application. directly Vds sensing
  • Q:NCP4306 在降低EMI方面有哪些方面需要注意的?
  • A: 降低佈線面積
  • Q:粗略看了下,请问QR的原理是通过测量流过整流MOSFET body diode的电压吗?如果是,请问精度是多少?
  • A: CS引腳會偵測MOSFET Drain to Source電壓,NCP4306 DRV關斷的基準是 CS引腳電壓為-1mV ~ 0V
  • Q:NCP4306工作电压范围是好多
  • A: Vdd 3.5 ~ 35 V
  • Q:同步整流晶体管需要用什么电路推动?
  • A: NCP4306 DRV引角直接驅動即可
  • Q:NCP4306支持哪几种封装
  • A: 目前推出兩種包裝, SOIC8 ,TSOP6
  • Q:NCP4306能推动多大的功率管
  • A: DRV pin Source 2A / Sink 7A
  • Q:NCP4306如何供电?是单独供电还是二次供电?
  • A: If SR MOSFET is placed at ground trace, the NCP4306 could be biased by Vout directly when Vout is in range of Vcc operation. If SR MOSFET is placed at positive trace of transformer, then it is needed to add auxiliary winding to bias the NCP4306.
  • Q:同步整流控制器使用难度怎么样?会不会太复杂?
  • A: 僅需一個電源芯片和兩外部電阻 (TSOP6 package)
  • Q:如何体现它的高效,有什么优势?
  • A: NCP4306的優勢為小包裝高效率
  • Q:NCP4306 高能效同步整流控制器是否适用于其它的半导体器件?
  • A: 一般來說沒特別要求 但選用SMD MOSFET能保有較低寄生電感的特性,能稍微加大晶體管的工作時間,稍微提升效率
  • Q:现在应用在LLC拓朴上怎样提高可靠性有量产的案例么?
  • A: 請考慮使用 NCP4306AAHZZZADR2G, http://www.onsemi.com/PowerSolutions/product.do?id=NCP4306
  • Q:低功耗唤醒时间是多少
  • A: The IC will be waked up if sensing the body diode of SR MOSFET conducts, and then the DRV will be turned on at the 2nd switch.
  • Q:NCP4306是否有内置MOS的升级版?
  • A: 未來會推出內置MOS的版本
  • Q:搭配CCM / DCM / QR工作的反激/正向拓朴时有没有要特别注意的地方
  • A: 1. 降低迴路上的雜散電感+選用SR MOSFET是SMD包裝的 (寄生電感較小) ==> 可加長DRV on time時間 2. min on time須大於SR MOSFET導通後,Vdrain上spike的時間 3. min off time須大於變壓器放完能量後,變壓器本身ring的週期
  • Q:轻载检测功能的具体实现方式。
  • A: LLD (light load detection)可用來偵測低負載,若確定是低負載(LLD),先降低Vgs來減少switching losses,若負載繼續降低,IC進入省電模式(Icc 大約 50 uA),這代表NCP4306並不會明顯增加負載功耗
  • Q:是否支持待机?最小待机电流多少?
  • A: LLD (light load detection)可用來偵測低負載,若確定是低負載(LLD),先降低Vgs來減少switching losses,若負載繼續降低,IC進入省電模式(Icc 大約 50 uA),這代表NCP4306並不會明顯增加負載功耗
  • Q:NCP4306如何实现同步整流的解决的呢?
  • A: directly Vds sensing, upto 200V
  • Q:待机功耗可以降低到多少?效率怎么样?
  • A: LLD (light load detection)可用來偵測低負載,若確定是低負載(LLD),先降低Vgs來減少switching losses,若負載繼續降低,IC進入省電模式(Icc 大約 50 uA),這代表NCP4306並不會明顯增加負載功耗
  • Q:最大电流多少?
  • A: driver capability source 2A, sink 7A,
  • Q:什么是斜率侦测触发功能?
  • A: CS引腳偵測MOSFET Drain to Source的電壓下降速度,當速度夠快時導通同步整流晶體管
  • Q:NCP1340采用的工作频率是多少?
  • A: it is QR controller. the frequency depends on transformer design. It could be upto 200 kHz or even 300 kHz at high line.
  • Q:待机功耗可以降低到多少?
  • A: LLD (light load detection)可用來偵測低負載,若確定是低負載(LLD),先降低Vgs來減少switching losses,若負載繼續降低,IC進入省電模式(Icc 大約 50 uA),這代表NCP4306並不會明顯增加負載功耗
  • Q:在输出24V10A的反激电源上,需要单独绕组给它供电吗
  • A: Vdd 3.5 ~ 35 V, 可直接供電, 但反激設計240W有一定的設計難度,需考量系統的散熱和regulation的規格.
  • Q:是两路还是單路的呢?一般能用在LLC上的就不会用在QR上的?我看介绍里都能应用,请问是怎么实现?
  • A: 生產時會利用內部燒入決定支援LLC或著QR,將會有不同的工作特性
  • Q:同步整流控制器NCP4306适用于多大瓦数电源应用?
  • A: So far, we do now have enough EVB to see how high the output current could be used. We have 240-W (20-A) EVB with LLC topology. It is believed that higher current with more careful layout should be also ok.
  • Q:NCP4306 高能效同步整流控制器的工作电压范围是多少?
  • A: It depends on the topology of power supply
  • Q:轻载监测有哪些步骤,为什么能怎么精简?
  • A: 因為安森美工程師的努力 感謝支持!
  • Q:NCP4306相对于同类型产品有哪些优势?
  • A: 單純偵測drain 電壓來決定導通時間,而非預測型 NCP4306偵測到drain電壓到零時,並會關閉DRV, 在QR及DCM,這是很直接的控制方式。當工作在CCM時,如果源邊的MOSFET導通,變壓器開始轉向,此時SR MOSFET 的drain電壓會由負轉正,藉由NCP4306高速的反應可以馬上關掉SR MOSFET,這個方式會有些微的shoot through, 我們實驗發現些微的shoot through可以產生active snubber的共效,進而降低drain 上的 spike,並降低EMI. 輕載時不會讓SR MOSFET工作在線性區(線性區的損耗較大). 有輕載偵測功能(LDD)降低功耗
  • Q:可以用在高压大电流方案上面吗
  • A: If a good layout and power MOSFET are chosen, yes, NCP4306 could be used.
  • Q:如何来降低整流二极管导通损耗?
  • A: 降低迴路上的雜散電感+選用SR MOSFET是SMD包裝的 (寄生電感較小) ==> 可加長DRV on time時間
  • Q:NCP4306在电源设计使用中需要注意什么?有实际的案例吗?
  • A: 1. 降低迴路上的雜散電感+選用SR MOSFET是SMD包裝的 (寄生電感較小) ==> 可加長DRV on time時間 2. min on time須大於SR MOSFET導通後,Vdrain上spike的時間 3. min off time須大於變壓器放完能量後,變壓器本身ring的週期
  • Q:效率的提高具体通过什么方法实现?
  • A: 單純偵測drain 電壓來決定導通時間,而非預測型 NCP4306偵測到drain電壓到零時,並會關閉DRV, 在QR及DCM,這是很直接的控制方式。當工作在CCM時,如果源邊的MOSFET導通,變壓器開始轉向,此時SR MOSFET 的drain電壓會由負轉正,藉由NCP4306高速的反應可以馬上關掉SR MOSFET,這個方式會有些微的shoot through, 我們實驗發現些微的shoot through可以產生active snubber的功效,進而降低drain 上的 spike,並降低EMI. 輕載時不會讓SR MOSFET工作在線性區(線性區的損耗較大). 有輕載偵測功能(LDD)降低功耗
  • Q:NCP4306引脚封装形式有哪几种?
  • A: Please check onsemi.com The NCP4306 datasheet has been uploaded in system.
  • Q:NCP4306反应时间的对电源设计有什么影响呢?
  • A: 快速的反應時間確保同步整流安全的運作
  • Q:NCP4306待机功耗高低对整个产品是否有太大影响?
  • A: It has impact to the no load consumption mainly.
  • Q:NCP4306对于工作电压是否有严格要求,只能工作在4V吗?
  • A: The Vcc could be upto 35 V
  • Q:NCP4306对于工作电压是否有严格要求,只能工作在4V吗?
  • A: The Vcc could be upto 35 V
  • Q:NCP4306的精确的侦测准位对于系统设计都哪些好处呢?
  • A: extend the DRV on time and avoid the body diode conducting